0.85 / 個(gè)
RJK005N03T146場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2020+ SOT-23 3K/盤(pán)
深圳市悟空華創(chuàng)電子科技有限公司
第4年
廣東省深圳市福田區(qū)
0.15 / PCS
CJ1012 絲印C 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件FAE助力
深圳市物微電子有限公司
第5年
0.10 / 個(gè)
DSSK60-015AR IXYS 20+ TO-247
深圳市興科泰科技有限公司
廣東省深圳市
1.59 / 個(gè)
RQ5E035ATTCL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2020+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.10 / PCS
BSS138 絲印SS 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 SOT-23 電子元器件FAE助力
DSSK50-01A IXYS 20+ TO-247
0.26 / 個(gè)
RK7002BMT116場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
電子元器件FAE助力BSS123 B123 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 SOT-23
DSSK30-018A IXYS 20+ TO-247
2.58 / 個(gè)
RRR015P03TL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2020+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.11 / PCS
BSS84 絲印B84 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件FAE助力 SOT-23
DSSK40-0015B IXYS 20+ TO-247
0.79 / 個(gè)
RDR005N25場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.08 / PCS
2SK3541 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 絲印KN SOT-723 電子元器件FAE助力
DSSK28-0045B IXYS 20+ TO-220
1.49 / 個(gè)
RRR040P03TL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.16 / PCS
2SK3018 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管KN SOT-23 電子元器件FAE助力
DSP25-16AR IXYS 20+ TO-247
2.49 / 個(gè)
RTR025P02TL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2019+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.19 / PCS
2SK3018 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 絲印KN SOT-323 電子元器件FAE助力
0.78 / 個(gè)
RUC002N05T116場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.13 / PCS
2N7002W 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管K72 SOT-323
2.65 / 個(gè)
RUR040N02TL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
2N7002T 絲印K72 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 SOT-523
1.18 / 個(gè)
RTR030P02場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.09 / PCS
2N7002K 72K 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管
0.71 / 個(gè)
RYC002N05T316場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2018+ SOT-23 3K/盤(pán)
2N7002DW 絲印K72 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管7002 SOT-363
2.40 / 個(gè)
RZR020P01TL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.38 / PCS
新潔能場(chǎng)效應(yīng)管NCE6003M
2.35 / 個(gè)
RZR040P01TL場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2020+ SOT-23 3K/盤(pán)
0.17 / PCS
AO3406 AOS場(chǎng)效應(yīng)管
1.65 / 個(gè)
RV2C001ZPT2L場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ VML1006 8K/盤(pán)
AO3400 AOS場(chǎng)效應(yīng)管
4.35 / 個(gè)
RF4C100BCTCR場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ DFN2020-8S 3K/盤(pán)
0.07 / PCS
2N7002長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 絲印7002 SOT-23
0.83 / 個(gè)
RF4E075ATTCR場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2019+ HUML2020L8 3K/盤(pán)
2SK3018 絲印KN 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件配單極速技術(shù)支持
0.87 / 個(gè)
RV2C002UNT2L場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ROHM羅姆2021+ VML1006 8K/盤(pán)
CJ2310 絲印S10 長(zhǎng)電場(chǎng)效應(yīng)管 SOT-23
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