供應ESD防靜電UM5059T靜電保護二極管UM5059T
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型號/規(guī)格 UM5059T
品牌/商標 UNION
封裝形式 DFN2
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
商品介紹

    基于二極管TVS產品擁有其它ESD保護產品所不具備的多用性——可選擇單向和雙向保護。基本二極管是單向產品,且是僅有的單向保護元件。串聯結合兩個二極管就能輕易地構成雙向保護。雙向保護可通過共陰極或共陽極配置來實現。使用一對單向TVS器件便能實現雙向保護性能。市面上有多種基于雙向二極管TVS器件,這些器件中的兩個二極管均位于同一個封裝,甚至經常集成在單個硅襯底上。

過去,硅TVS器件由于電容高,在保護低壓高速信號線路方面存在劣勢。然而,近年來的技術進步消除了這種不利因素。安森美半導體的新產品ESD9L5.0將硅器件保護的優(yōu)勢與高速應用要求的低電容結合在一起。這個產品的特性就像一個簡單的齊納二極管。事實上,ESD9L5.0包含一個擊穿電壓低的齊納二極管和一對擊穿電壓高(因而電容小)的標準二極管。

瞬態(tài)抑制二極管是一種能把瞬態(tài)電壓抑制在被保護元件能承受的安全水平的高效能保護器件。瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時態(tài)的畸變,會對微電子半導體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導體芯片受到瞬態(tài)電壓侵襲后,它的性能沒有明顯的下降,但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成內傷而形成隱患。瞬態(tài)抑制二極管能夠有效地保護電子線路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。 

公司分銷:AMAZINGROHMNXPONPanasoicTOSHIBAHITACHIFAIRCHILDIR 等各種片狀穩(wěn)壓、ESD靜電保護TVS抑制管,高分子ESD保護,場效應、達林頓、變容、二、三極管。經銷的產品廣泛用于消費累電子、LED、家電、網絡通訊、安防、汽車電子、航空、電表、儀器儀表、電源、計算機及外設等行業(yè)。

二極管的特性舉例

   1、正向特性:二極管外加正向偏置電壓時的V-I特性

對應于第①段的正向特性,此時加于二極管的正向電壓只有零點幾伏,但相對來說流過管子的電流卻很大,因此管子呈現的正向電阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向電壓較小,外電場還不足以克服PN結的內電場,因而這時的正向電流幾乎為零,二極管呈現出一個大電阻,好像有一個門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區(qū)電壓)約為0·5V,鍺管的Vth約為0·lV,當正向電壓大于Vth時,內電場大為削弱,電流因而迅速增長。

2、反向特性:二極管外加反向偏置電壓時的V-I特性

P型半導體中的少數載流子(電子)和N半導體中的少數載流子(空穴),在反向電壓作用下很容易通過PN結, 形成反向飽和電流。但由于少數載流子的數目很少, 所以, 一般硅管的反向電流比鍺管小得多,其數量級為:硅管nA級,鍺管大mA級。

溫度升高時,由于少數載流子增加,反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性:二極管擊穿時的V-I特性

當增加反向電壓時, 因在一定溫度條件下, 少數載流子數目有限,故起始一段反向電流沒有多大變化,當反向電壓增加到一定大小時,反向電流劇增,這叫做二極管的反向擊穿, 對應于第③段,其原因與PN結擊穿相同。

 


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