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過去，硅TVS器件由于電容高，在保護低壓高速信號線路方面存在劣勢。然而，近年來的技術進步消除了這種不利因素。安森美半導體的新產品ESD9L5.0將硅器件保護的優勢與高速應用要求的低電容結合在一起。這個產品的特性就像一個簡單的齊納二極管。事實上，ESD9L5.0包含一個擊穿電壓低的齊納二極管和一對擊穿電壓高(因而電容小)的標準二極管。

瞬態抑制二極管是一種能把瞬態電壓抑制在被保護元件能承受的安全水平的高效能保護器件。瞬態電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時態的畸變，會對微電子半導體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導體芯片受到瞬態電壓侵襲后,它的性能沒有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成內傷而形成隱患。瞬態抑制二極管能夠有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。 

二極管的特性舉例

   1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時的V-I特性

對應于第①段的正向特性，此時加于二極管的正向電壓只有零點幾伏，但相對來說流過管子的電流卻很大，因此管子呈現的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外電場還不足以克服PN結的內電場，因而這時的正向電流幾乎為零，二極管呈現出一個大電阻，好像有一個門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當正向電壓大于Vth時，內電場大為削弱，電流因而迅速增長。

2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時的V-I特性

P型半導體中的少數載流子（電子）和N型半導體中的少數載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過PN結， 形成反向飽和電流。但由于少數載流子的數目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數量級為：硅管nA級，鍺管大mA級。

溫度升高時，由于少數載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性：二極管擊穿時的V-I特性

當增加反向電壓時， 因在一定溫度條件下， 少數載流子數目有限，故起始一段反向電流沒有多大變化，當反向電壓增加到一定大小時，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對應于第③段，其原因與PN結擊穿相同。