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反向特性：二極管外加反向偏置電壓時的V-I特性

P型半導體中的少數載流子（電子）和N型半導體中的少數載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過PN結， 形成反向飽和電流。但由于少數載流子的數目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數量級為：硅管nA級，鍺管大mA級。

溫度升高時，由于少數載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

    基于二極管的TVS產品擁有其它ESD保護產品所不具備的多用性——可選擇單向和雙向保護。基本二極管是單向產品，且是僅有的單向保護元件。串聯結合兩個二極管就能輕易地構成雙向保護。雙向保護可通過共陰極或共陽極配置來實現。使用一對單向TVS器件便能實現雙向保護性能。市面上有多種基于雙向二極管的TVS器件，這些器件中的兩個二極管均位于同一個封裝，甚至經常集成在單個硅襯底上。

瞬態抑制二極管是一種能把瞬態電壓抑制在被保護元件能承受的安全水平的高效能保護器件。瞬態電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時態的畸變，會對微電子半導體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導體芯片受到瞬態電壓侵襲后,它的性能沒有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成內傷而形成隱患。瞬態抑制二極管能夠有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。