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TVS二極管

    如今大多數的二極管都是采用硅制造的固態器件。它們為雙端器件，很容易讓一個方向上的電流流過，但在相反方向上，它們呈現高阻抗，直到兩端電壓達到擊穿電壓。二極管本質上為單向器件，保護方式為電壓箝位。

    二極管的特性取決于N區與P區的摻雜程度，這兩個區離結點的距離遠近不同。調節摻雜程度能構建反向偏置擊穿電壓在幾百伏到僅幾伏之間的二極管。設計有明確定義的反向偏置擊穿電壓的二極管，通常稱作齊納二極管。

    肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。