

深圳市東湖電子材料有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 電子磁性材料(電磁鐵)
EQ形狀鐵硅鋁代理-KDA-csc-浙江鐵硅鋁代理
價(jià)格
訂貨量(件)
¥1.00
≥1000
店鋪主推品 熱銷(xiāo)潛力款
莸莻莵莵莽莺莽莵莾莸莻

深圳市東湖電子材料有限公司
店齡7年
企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
蘭經(jīng)理
聯(lián)系電話(huà)
莸莻莵莵莽莺莽莵莾莸莻
經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品

黃白色-26鐵粉芯,其感量公差、強(qiáng)度、外形、損耗、偏流等核心指標(biāo),均處于全行業(yè)很好地位,目前產(chǎn)品大批量應(yīng)用于HP DELL 聯(lián)想等電源產(chǎn)品及奇力新等汽車(chē)電子產(chǎn)品上面。 另外還有-33 -34 -35材質(zhì)的產(chǎn)品在滿(mǎn)足UPS類(lèi)客戶(hù)的需求上,在業(yè)界的特性目前處于很佳狀態(tài),同時(shí)可以滿(mǎn)足客戶(hù)定制化要求。目前公司有從8噸機(jī)到400噸的壓機(jī),可以壓制從6mm到77mm尺寸外徑的不同磁環(huán),可以很好的滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。歡迎客戶(hù)來(lái)電來(lái)函垂詢(xún)!

中國(guó)動(dòng)力電池即將大規(guī)模走向國(guó)際
電機(jī)控制器價(jià)格貴,核心器件IGBT大多進(jìn)口,譬如英飛凌公司的產(chǎn)品,今年這一狀態(tài)得到極大改善,2018年大約40%的IGBT來(lái)自中國(guó)企業(yè),譬如比亞迪,所以IGBT這一關(guān)鍵核心器件已經(jīng)被攻克。另外一個(gè),IGBT之后很快要取代IGBT的是碳化硅,碳化硅是一個(gè)更先進(jìn)的做控制器的電力電子芯片,頻率可以做到很高、效率可以做到很高、體積可以非常小。體積功率密度可以做到每升100千瓦,比現(xiàn)在要減少大概百分之七八十。中國(guó)也開(kāi)發(fā)出了自主的控制器,國(guó)內(nèi)已經(jīng)有四五個(gè)團(tuán)隊(duì)在做產(chǎn)業(yè)化。
特斯拉Model3使用的控制器就是碳化硅,比亞迪也宣布在2023年將由碳化硅替代,估計(jì)在2025年會(huì)全的由碳化硅取代IGBT,這樣做的優(yōu)勢(shì)一個(gè)是驅(qū)動(dòng)效率會(huì)提高幾個(gè)百分點(diǎn),第二個(gè)體積會(huì)降低百分之七八十。
臺(tái)積電加速推進(jìn)3nm工藝:要2020年量產(chǎn)!
據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電3nm工廠通過(guò)環(huán)境評(píng)測(cè),依據(jù)原定時(shí)程,座3nm廠可望在2020年動(dòng)工,最快2022年底量產(chǎn),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新紀(jì)元。
對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō),加速推進(jìn)3nm工藝,主要原因是,防止對(duì)手三星加快投資腳步,同時(shí)也是不希望因?yàn)榄h(huán)評(píng)案不通過(guò),延緩自家興建晶圓18廠第四到六期新廠的規(guī)劃。
依照臺(tái)積電規(guī)劃藍(lán)圖,3納米應(yīng)可在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),成為家提供晶圓代工服務(wù),同時(shí)解決很多AI人工智能芯片功效更強(qiáng)大的晶圓代工廠。
臺(tái)積電目前是蘋(píng)果A12、高通驍龍855、華為麒麟980等處理器的代工廠商,而明年年初他們要對(duì)現(xiàn)有的7nm工藝升級(jí),主要是加入了極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
