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SIS412DN-T1-GE3-VISHAY-21+-QFN
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發貨地 廣東省深圳市
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商品參數
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商品介紹
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聯系方式
型號 SIS412DN-T1-GE3
品牌 VISHAY
批號 21+
封裝 QFN
QQ 847049310
數量 9000
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 12 A
最大漏極電流 (ID) 8.7 A
最大漏源導通電阻 0.024 Ω
商品介紹
| 型號 | SIS412DN-T1-GE3 | 品牌 | VISHAY |
|---|---|---|---|
| 批號 | 21+ | 封裝 | QFN |
| 847049310 |
| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| 是否無鉛 |  不含鉛 |
| 生命周期 | Active |
| 包裝說明 | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 |
| 針數 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| 風險等級 | 1.65 |
| 雪崩能效等級（Eas） | 1.25 mJ |
| 外殼連接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源擊穿電壓 | 30 V |
| 最大漏極電流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏極電流 (ID) | 8.7 A |
| 最大漏源導通電阻 | 0.024 Ω |
| FET 技術 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代碼 | S-XDSO-C5 |
| JESD-609代碼 | e3 |
| 濕度敏感等級 | 1 |
| 元件數量 | 1 |
| 端子數量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作溫度 | 150 °C |
| 封裝主體材料 | UNSPECIFIED |
| 封裝形狀 | SQUARE |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流溫度（攝氏度） | 260 |
| 極性/信道類型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 15.6 W |
| 最大脈沖漏極電流 (IDM) | 30 A |
| 認證狀態 | Not Qualified |
| 子類別 | FET General Purpose Power |
| 表面貼裝 | YES |
| 端子面層 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間 | 40 |
| 晶體管應用 | SWITCHING |
| 晶體管元件材料 | SILICON |
聯系方式
公司名稱 深圳市唯有度科技有限公司
聯系賣家 屈巧弟 
（QQ：847049310）
（QQ：847049310） 電話 䀍䀓䀔䀔-䀒䀑䀔䀓䀓䀌䀌䀐
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地址 廣東省深圳市
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