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深圳市十德盛科技有限公司
主營產(chǎn)品: 儲存器, CPU, 網(wǎng)卡芯片, 聲卡芯片, 電容電阻
K4S561632N-LC75-SAMSUNG-SDRAM-集成芯片
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型號 | K4S561632N-LC75 | 品牌 | SAMSUNG |
---|---|---|---|
批號 | 21+ | 封裝 | TSOP |
1811242982 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包裝代碼 | TSOP2 |
包裝說明 | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
針數(shù) | 54 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代碼 | EAR99 |
HTS代碼 | 8542.32.00.24 |
風(fēng)險等級 | 5.56 |
Is Samacsys | N |
訪問模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最長訪問時間 | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大時鐘頻率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 類型 | COMMON |
交錯的突發(fā)長度 | 1,2,4,8 |
JESD-30 代碼 | R-PDSO-G54 |
JESD-609代碼 | e6 |
長度 | 22.22 mm |
內(nèi)存密度 | 268435456 bit |
內(nèi)存集成電路類型 | SYNCHRONOUS DRAM |
內(nèi)存寬度 | 16 |
濕度敏感等級 | 3 |
功能數(shù)量 | 1 |
端口數(shù)量 | 1 |
端子數(shù)量 | 54 |
字?jǐn)?shù) | 16777216 words |
字?jǐn)?shù)代碼 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作溫度 | 70 °C |
最低工作溫度 | |
組織 | 16MX16 |
輸出特性 | 3-STATE |
封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
封裝代碼 | TSOP2 |
封裝等效代碼 | TSOP54,.46,32 |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流溫度(攝氏度) | 260 |
電源 | 3.3 V |
認(rèn)證狀態(tài) | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
連續(xù)突發(fā)長度 | 1,2,4,8,FP |
最大待機電流 | 0.002 A |
子類別 | DRAMs |
最大壓擺率 | 0.05 mA |
最大供電電壓 (Vsup) | 3.6 V |
最小供電電壓 (Vsup) | 3 V |
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup) | 3.3 V |
表面貼裝 | YES |
技術(shù) | CMOS |
溫度等級 | COMMERCIAL |
端子面層 | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) |
端子形式 | GULL WING |
端子節(jié)距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
處于峰值回流溫度下的最長時間 | NOT SPECIFIED |
寬度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
采購數(shù)量不能為空
聯(lián)系信息不能為空
驗證碼不正確