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深圳市十德盛科技有限公司
主營產(chǎn)品： 儲存器, CPU, 網(wǎng)卡芯片, 聲卡芯片, 電容電阻
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K4S561632N-LC75-SAMSUNG-SDRAM-集成芯片
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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 K4S561632N-LC75
品牌 SAMSUNG
批號 21+
封裝 TSOP
QQ 1811242982
包裝 托盤
特色服務(wù) 一站式配單
類型 SYNCHRONOUS DRAM
系列 K4S
數(shù)量 960
商品介紹
| 型號 | K4S561632N-LC75 | 品牌 | SAMSUNG |
|---|---|---|---|
| 批號 | 21+ | 封裝 | TSOP |
| 1811242982 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 零件包裝代碼 | TSOP2 |
| 包裝說明 | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 針數(shù) | 54 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| HTS代碼 | 8542.32.00.24 |
| 風(fēng)險等級 | 5.56 |
| Is Samacsys | N |
| 訪問模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最長訪問時間 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大時鐘頻率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 類型 | COMMON |
| 交錯的突發(fā)長度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代碼 | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代碼 | e6 |
| 長度 | 22.22 mm |
| 內(nèi)存密度 | 268435456 bit |
| 內(nèi)存集成電路類型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 內(nèi)存寬度 | 16 |
| 濕度敏感等級 | 3 |
| 功能數(shù)量 | 1 |
| 端口數(shù)量 | 1 |
| 端子數(shù)量 | 54 |
| 字?jǐn)?shù) | 16777216 words |
| 字?jǐn)?shù)代碼 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作溫度 | 70 °C |
| 最低工作溫度 | |
| 組織 | 16MX16 |
| 輸出特性 | 3-STATE |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝代碼 | TSOP2 |
| 封裝等效代碼 | TSOP54,.46,32 |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流溫度（攝氏度） | 260 |
| 電源 | 3.3 V |
| 認(rèn)證狀態(tài) | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 連續(xù)突發(fā)長度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待機電流 | 0.002 A |
| 子類別 | DRAMs |
| 最大壓擺率 | 0.05 mA |
| 最大供電電壓 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供電電壓 (Vsup) | 3 V |
| 標(biāo)稱供電電壓 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面貼裝 | YES |
| 技術(shù) | CMOS |
| 溫度等級 | COMMERCIAL |
| 端子面層 | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子節(jié)距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間 | NOT SPECIFIED |
| 寬度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市十德盛科技有限公司
聯(lián)系賣家 郭煒城 
（QQ：2881918790）
（QQ：2881918790） 電話 䝒䝐䝖䝐䝐䝐䝔䝓䝕䝕䝘
手機 䝒䝐䝖䝐䝐䝐䝔䝓䝕䝕䝘
地址 廣東省深圳市
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郭煒城
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