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深圳市米萊歐科技有限公司
主營產品： ESD靜電二極管, TVS二極管, 電池充電和管理電源, MOS管, LDO低功耗穩壓管
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場效應管-SI1926DL-T1-GE3-VISHAY/威世-2019
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聯系人 姚少華 
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發貨地 廣東省深圳市
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商品參數
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商品介紹
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聯系方式
數量 18860
Q Q 2530694866
產品種類 MOSFET
RoHS 是
技術 Si
Vds-漏源極擊穿電壓 60 V
Id-連續漏極電流 370 mA
型號 SI1926DL-T1-GE3
品牌 VISHAY/威世
批號 2019
封裝 SC70-6
交易說明 工廠價格優惠
QQ 2530694866
商品介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI1926DL-T1-GE3 |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | SOT-363 |
| 數量： | 18860 |
| QQ： | 2530694866 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 370 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1.4 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 1.4 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 最大工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 510 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | TrenchFET |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 高度： | 1 mm |
| 長度： | 2.1 mm |
| 系列： | SI1 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 1.25 mm |
| 商標： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨導 - 最小值： | 159 ms |
| 下降時間： | 14 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 12 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 13 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.5 ns |
| 單位重量： | 7.500 mg |
聯系方式
公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯系賣家 姚少華 
（QQ：2530694866）
（QQ：2530694866） 電話 䝑䝗䝏䝏-䝕䝐䝗䝕䝑䝘䝘䝘
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地址 廣東省深圳市
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