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采用霧化施液化學機械拋光（CMP）的方法,以材料去除速率和表面粗糙度為評價指標,選取適合硒化鋅拋光的磨料,通過單因素實驗對比CeO2、SiO2和Al2O3三種磨料的拋光效果。結果顯示:采用Al2O3拋光液可以獲得的材料去除率,為615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分別只有184.92和78.56nm/min。進一步分析磨料粒徑對實驗結果的影響規律,表明100nm Al2O3拋光后的表面質量,粗糙度Ra僅為2.51nm,300nm Al2O3的去除速率,達到1 256.5nm/min,但表面存在嚴重缺陷,出現明顯劃痕和蝕坑。在相同工況條件下,與傳統化學機械拋光相比,精細霧化拋光的去除速率和表面粗糙度與傳統拋光相近,但所用拋光液量約為傳統拋光的1/8,大大提高了拋光液的利用率。

珍珠巖拋光磨料17.2簡介：珍珠巖是一種玻璃質酸性噴出巖，SiO2含量高，超過65％，一般為65％一78％。堿質（K2O十Na2O）含量較高，約為7％一8％。珍珠巖中含水量一般為2％一6％，水是在巖漿快速冷凝時，其中的水蒸氣來不及逸出而包裹在其中的。珍珠巖呈無色、淡灰、蘭綠等顏色，玻璃光澤，一般發育有同心圓狀的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠巖冷凝收縮時形成的，是珍珠巖發育的特征。【中信拋光磨料】17.3產品流程：珍珠巖拋光磨料：珍珠巖經過粉碎、篩分等工藝流程，即可成為拋光磨料。17.4產品分類：目前國內珍珠巖拋光磨料一般有70目、90目、120目三種。17.5產品特征：該產品色澤呈灰白色至白色，莫氏硬度5.7，粒徑分布0.8μm～80μm，其中產品型號以中心粒徑劃分，如120目產品，其17＋或－1μm粒徑不少于50％。

磨粒流拋光主要用于小尺寸和復雜結構化表面的光整精加工。針對磨料參數選取僅靠其定性選擇原則和經驗,導致一些工況的磨料選取不合理而嚴重影響加工質量的問題,提出了一種磨料參數模糊優選的方法。該方法基于模糊數學理論,采用模糊參數優化建立了多目標磨料參數優選模型,結合磨料參數的選擇原則和磨料參數之間的影響建立了相對優屬度矩陣和權向量,從而量化了不確定性因素。后,通過實際加工實驗驗證了該方法的合理性和可行性。 對磨料水射流拋光45鋼進行了研究,分析了材料的去除機理,在已有材料去除模型基礎上,設計了正交實驗,對不同參數組合下磨料水射流加工45鋼的表面粗糙度、材料去除率進行了MATLAB數據分析,同時從材料去除機理方面對磨料粒度、射流壓力、橫向進給速度、靶距、噴嘴沖蝕角度等加工參數對于拋光表面質量和材料去除率的影響程度和影響趨勢進行了分析。終結合加工面表面粗糙度和材料去除率,選出45鋼拋光加工優加工參數組合。

為了提高微晶玻璃化學機械拋光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的拋光液對微晶玻璃進行化學機械拋光,研究了4種含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的拋光液對微晶玻璃化學機械拋光MRR和表面粗糙度的影響.利用納米粒度儀檢測拋光液中磨料的粒徑分布和Zeta電位,利用原子力顯微鏡觀察微晶玻璃拋光前后的表面形貌.實驗結果表明,在相同條件下,采用Ce O2作為磨料進行化學機械拋光時可以獲得的表面質量,拋光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.進一步研究了拋光液中不同質量分數的Ce O2磨料對微晶玻璃化學機械拋光的影響,結果表明,當拋光液中Ce O2質量分數為7%時,MRR達到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而當拋光液中Ce O2質量分數為5%時,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度Ra=0.4 nm.Ce O2磨料拋光后的微晶玻璃能獲得較低表面粗糙度和較高MRR.