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PL3331

編輯：LX

PL3331副邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先流過(guò)功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DON 開(kāi)啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降，直到 MOS 漏極與源極的壓差超過(guò) V OFF_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DOFF開(kāi)啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。

PL3332

編輯：LX

PL3332 可兼容支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式、連續(xù)工作模式或準(zhǔn)諧振工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器。

PL3332 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開(kāi)狀態(tài)，副邊電流流過(guò)功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過(guò)芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí)，芯片開(kāi)始正常工作。

內(nèi)置13mΩ（@Vgs=10V,Id=6A）40V功率開(kāi)關(guān)管。兼容DCM或QR反激開(kāi)關(guān)。 自檢測(cè)開(kāi)通關(guān)斷。簡(jiǎn)化外圍器件。

PL3369

編輯：LX

PL3369 內(nèi)置了多種保護(hù)功能，包括：逐周期限流保護(hù)，VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù)，輸出開(kāi)/短路保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)等。當(dāng) PL3369B 的 VDD 電壓下降到 UVLO(ON)，芯片將不工作，同時(shí)會(huì)進(jìn)入重啟狀態(tài)。

在不同的應(yīng)用中，CS 端不同的采樣電阻會(huì)得到不同的恒流點(diǎn)。輸出功率的大小可通過(guò)調(diào)節(jié) CS 端的采樣電阻實(shí)現(xiàn)，采樣電阻越大，恒流點(diǎn)越小，同時(shí)輸出功率也越小。