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電源解決方案需要在寬帶寬范圍內實現低輸出電壓噪聲(或低輸出紋波)，因為現代數字系統具有多個電源軌，其中噪聲靈敏度是設計的主要考慮因素。隨著FPGA對速度要求的提高，電源噪聲容差逐漸降低，以地減少誤碼。噪聲引起的數字故障會大大降低這些高速PLD的有效數據吞吐速率。大電流下的輸入電源噪聲成為對電源要求較嚴苛的規范之一。由于的幾何電路開關會產生高功耗，因此收發器速率越高(例如在FPGA中)，電流水平就越高。這些IC速度很快。它們可能在幾十至幾百納秒內使負載電流從接近零到數安培循環，因此需要使用超快速瞬態響應的穩壓器。
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隨著留給電源穩壓器的電路板面積不斷減少，許多系統設計人員轉而使用開關頻率更快的單片式開關穩壓器，從而減小外部元件和整體解決方案的尺寸——但是這樣做必須要接受的一個權衡是，高頻下的開關損耗會引起一定的效率損耗。使用新一代單片式開關穩壓器可以避免這種權衡取舍。這些新的穩壓器集成了高邊和低邊開關，具有同步操作功能，可以嚴格控制開關柵極電壓，大大縮短了死區時間，即使在高頻率下也可以實現更高的效率。大電流單片式開關的挑戰之一是能否將IC內部功率損耗所產生的熱量散發掉。
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三極管屬于電子元器件中的分立元件，具有電流放大的作用，也是電子電路中的核心元件。三極管（Triode）全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管。三極管是在一塊半導體基片上制作N結，兩個PN兩個相距很近的P結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。三極管的命名方法一般是按照器件的電極數目（2:表示二極管;3:表示三極管）、材料和極性（A:PNP鍺;B:NPN鍺;C:PNP硅;D:NPN硅;E:化合物材料）、器件類型（G:高頻率小功率;D:低頻大功率;A:高頻大功率;K:開關管;X:低頻小功率，大于等于1W的叫大功率管，小于1W的叫小功率管，功率不是很大，封裝比較大的叫中功率管）、型號和三極管的規格（放大檔次）。比如我們用個3CA1815-Y來說，3代表三極管、C代表PNP硅、A代表高頻大功率、1815代表型號、Y代表規格（放大檔次）。