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強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
PL3394A

編輯：LX

PL3394A主要特點(diǎn)：

? 低的啟動(dòng)電流和工作電流

? PWM無(wú)噪音綠色控制模式

? 內(nèi)置提高EMI性能的頻率抖動(dòng)

? 內(nèi)置斜率補(bǔ)償

? CS端的前沿消隱

? VDD過(guò)壓和欠壓保護(hù)

? 輸出過(guò)壓/過(guò)載保護(hù)

? 逐周期限流保護(hù)

? 內(nèi)置軟啟動(dòng)

? 過(guò)溫保護(hù)

? 驅(qū)動(dòng)鉗位保護(hù)

PL3394A 主要應(yīng)用：

? 手機(jī)/充電器

? 鋰電池/數(shù)碼相機(jī)充電器

? 電視機(jī)電源

? 電源適配器

? LED 驅(qū)動(dòng)

? 消費(fèi)類的備用電源

PL3331

編輯：LX

PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開狀態(tài)，副邊電流流過(guò)功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過(guò)芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí)，芯片開始正常工作。

PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時(shí)，芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式，功率管不會(huì)開啟。為了防止 VDD上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。

PL3369

編輯：LX

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 端電壓超過(guò)芯片的閾值電壓時(shí)，芯片開始工作并輸出 PWM 信號(hào)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動(dòng)電流，因而可以采用大的啟動(dòng)電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。