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        鑫悅源提供系列儲能轉換器可以兼容普通單相的光伏并網逆變器，通過加入BP儲能系統可以對普通的光伏電站進行升級改造成光伏儲能系統。白天光伏組件所發的電力優先提供給本地負載使用，多余能量通過BP儲能轉換器給電池充電，晚上電池通過BP儲能轉換器放電，再經光伏并網逆變器逆變提供給本地負載使用，光伏儲能系統大大提高了自發自用率。

       在光伏逆變器中運用新型SiCBJT可實現更低的系統成本。

最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的器件。SiCBJT運用在光伏電源轉換器中時，可實現良好效率，并且(也許更重要的是)能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統級別上顯著降低成本。

在過去30多年中，諸如MOSFET和IGBT之類的CMOS替代產品在大多數電源設計中逐漸取代基于硅的BJT，但是今天，基于碳化硅的新技術為BJT賦予了新的意義，特別是在高壓應用中。

碳化硅布局以同等或更低的損耗實現更高的開關頻率，并且在相同形狀因數的情況下可產生更高的輸出功率。運用了SiCBJT的設計也將使用一個更小的電感，并且使成本顯著降低。雖然運用碳化硅工藝生產的BJT相較于僅基于硅的BJT會更昂貴，但是使用SiC技術的優勢在于可在其它方面節省設計成本，從而實現更低的整體成本。本文介紹的升壓轉換器設計用于光伏轉換階段，其充分利用SiCBJT的優勢，在顯著降低系統成本的同時可實現良好的效率。

碳化硅的優勢

基于硅的BJT在高壓應用中失寵有幾方面原因。首先，SiBJT中的低電流增益會形成高驅動損耗，并且隨著額定電流的增加，損耗變得更糟。雙極運行也會導致更高的開關損耗，并且在器件內產生高動態電阻。可靠性也是一個問題。在正向偏壓模式下運行器件，可能會在器件中形成具有高電流集中的局部過溫，這可能導致器件發生故障。此外，電感負載切換過程中出現的電壓和電流應力，可能會導致電場應力超出漂移區，從而導致反向偏壓擊穿。這會嚴格限制反向安全工作區(RSOA)，意味著基于硅的BJT將不具有短路能力。