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這三者看上去都是場效應管，其實金屬氧化物半導體場效應晶體管、V型槽溝道場效應管是單極（Unipolar）結構的，是和雙極（Bipolar）是對應的，所以也可以統稱為單極晶體管（UnipolarJunctionTransistor）其中J型場效應管是非絕緣型場效應管，MOSFET和VMOS都是絕緣型的場效應管VMOS是在MOS的基礎上改進的一種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管




更小的幾何形狀工藝可以在終產品中高度集成更多的高耗電功能。例如，現代計算機服務器和光通信路由系統需要更寬的帶寬來處理更多的計算數據和互聯網流量，這些系統還會產生大量的熱量，因此需要的IC。汽車配備更多的車載電子設備，用于娛樂、導航、自動駕駛功能甚至發動機控制。于是，系統的電流消耗和相應的總功耗都會增加。因此，需要先進的封裝和內部電源級的創新設計將熱量驅散出電源IC，同時提供更高的功率。高電源抑制比(PSRR)和低輸出電壓噪聲(或紋波)是重要的考慮因素。具有高電源抑制比的器件可以濾除和抑制輸入噪聲，從而獲得干凈穩定的輸出。




使用東科18W高集成PD快充參考設計給三星S10+充電，顯示電壓9.09V，電流1.62A，充電功率約為14.76W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設計給小米9充電，顯示電壓9.08V，電流1.76A，充電功率約為16.02W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設計給華為P30Pro充電，顯示電壓9.1V，電流1.3A，充電功率約為11.83W，開啟USBPD快充。此外，東科18W高集成1A1C快充參考設計同樣具有小尺寸的特點，大小與蘋果18W快充相當，并且PCB板余量充足，客戶在設計時可以進一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設計背面電路設計精簡，這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用，初級和次級各用一顆即可實現AC-DC功能。