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PL3331

編輯：LX

PL3331副邊導通時，電流首先流過功率 MOS 的體二極管，當芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時，芯片經過時間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3331當流經功率 MOS 的電流逐漸下降，直到 MOS 漏極與源極的壓差超過 V OFF_TH 時，芯片經過時間 T DOFF開啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。

PL3369

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PL3369的 恒流/ 恒壓調節

恒流/恒壓的調節主要是基于系統工作在 DCM 模式。工作于 DCM 模式的反激式開關電源，可以通過輔助繞組來采樣輸出電壓。功率管導通時，原邊電流逐步增加，功率管關閉后，原邊電流傳輸到次級，并形成次級電流Spk I。

在不同的應用中，CS 端不同的采樣電阻會得到不同的恒流點。輸出功率的大小可通過調節 CS 端的采樣電阻實現，采樣電阻越大，恒流點越小，同時輸出功率也越小。

PL3116B

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PL3116B 為小功率的適配器/充電器應用提供了很有效的解決方案，其新穎的恒流/恒壓控制使得系統不需要次級反饋電路，并能實現高精度的恒流/恒壓輸出，從而滿足更嚴格的能源損耗要求。

啟動電流和工作電流：PL3116B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應用中的功率損耗。

PL3116B 的工作電流小至 1mA，再加上特有的復合模式控制，從而提高了系統的效率，特別是系統處于輕載條件下。