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可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。
此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。
單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。 雙向可控硅陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

怎么用萬用表判斷可控硅的好壞？
首先我們看看可控硅的結構及工作原理
可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。
怎么用萬用表判斷可控硅的好壞
1、可控硅結構
可控硅具有三個PN結（J1、J2、J3），構成了四層P1N1P2N2結構，如下圖所示。可控硅對外有三個電極，由層P型半導體引出的電極稱為陽極A，由第三層P型半導體引出的電極稱為控制極G，由第四層N型半導體引出的電極稱為陰極K，其中控制極G的存在使得可控硅的工作特性不同于二極管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理時，我們經常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成。
當陽極A端加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態，此時由控制極G端輸入正向觸發信號，使得BG2管有基極電流ib2通過，經過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進而使得可控硅飽和并導通。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導通后無法關斷，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續維持這種導通的狀態。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。 目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有廣泛的應用。

單向可控硅和雙向可控硅
可控硅分為單向可控硅和雙向可控硅
單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)
雙向可控硅在測試中任何兩極間的正反向電阻都較小。
雙向可控硅的測量
雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T1極，其中一只單向可控硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極(G)
單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動(R×1擋)，對于單向可控硅可能是A、K或G、A極也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅，且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。
若正、反向測量，指示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。