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PL3369

編輯：LX

PL3369B 內部集成 VDD 檢測電路，系統上電后，當 VDD 端電壓超過芯片的閾值電壓時，芯片開始工作并輸出 PWM 信號，進而驅動功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過程中抖動對芯片的影響，內部設置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復合模式控制，從而提高了系統的效率，特別是系統處于輕載條件下。

PL3115B

PL3115B的主要特性：

內置高集成度的功率MOSFET

+/-5%恒壓調節

 全電壓范圍內精準的恒流調節

去除光耦和次級恒流恒壓控制電路

內置高精度恒流調節的線電壓補償

內置變壓器電感補償

可編程的輸出線補償

可提高效率的自適應多模式PWM/PFM控制

低啟動電流

限流保護

內置前沿消隱

過壓保護

良好的動態響應

欠壓保護

PL3116B

PL3116B 為小功率的適配器/充電器應用提供了很有效的解決方案，其新穎的恒流/恒壓控制使得系統不需要次級反饋電路，并能實現高精度的恒流/恒壓輸出，從而滿足更嚴格的能源損耗要求。

啟動電流和工作電流：PL3116B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應用中的功率損耗。

PL3116B 的工作電流小至 1mA，再加上特有的復合模式控制，從而提高了系統的效率，特別是系統處于輕載條件下。