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PL3369

編輯：LX

PL3369 內(nèi)置了多種保護功能，包括：逐周期限流保護，VDD 過壓/欠壓保護，輸出開/短路保護，過溫保護等。當(dāng) PL3369B 的 VDD 電壓下降到 UVLO(ON)，芯片將不工作，同時會進入重啟狀態(tài)。

在不同的應(yīng)用中，CS 端不同的采樣電阻會得到不同的恒流點。輸出功率的大小可通過調(diào)節(jié) CS 端的采樣電阻實現(xiàn)，采樣電阻越大，恒流點越小，同時輸出功率也越小。

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路，系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 端電壓超過芯片的閾值電壓時，芯片開始工作并輸出 PWM 信號，進而驅(qū)動功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過程中抖動對芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。

PL3115B

PL3115B 是一款高效率、高集成度、原邊調(diào)節(jié)的 PWM 功率開關(guān)。PL3115B 通過去除光耦以及次級控制電路，簡化了充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓的設(shè)計，從而實現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)。

復(fù)合模式的應(yīng)用使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。內(nèi)置的頻率抖動可以很好的降低芯片的 EMI以及 EMI 濾波成本，而且高集成的功率 MOSFET 能夠降低外部 PCB 的面積以及系統(tǒng)的成本。