

強元芯電子(廣東)有限公司
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物聯網芯片PL3115B程序空間6-8K-手機快充芯片PL3115BAC-DC-ASEMI
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PL3332
編輯:LX
PL3332副邊導通時,電流首先流過功率 MOS 的體二極管,當芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時,芯片經過時間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。
PL3332關鍵特性:車規級(-40°-125°C )、低待機、強抗干擾、強保密(IC 卡級)主要應用:智能家居、小家電、智能照明、電機驅動、電動工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等
PL3369
PL3369的復合模式的應用使芯片能夠實現低靜態功耗、低音頻噪音、高效率。滿載時芯片工作在PFM模式,隨著負載降低,芯片會逐漸進入到綠色模式,以提高整個系統的效率。
PL3369主要特點:
? 內置高壓功率BJT管
? 全電壓范圍內高精度恒流/恒壓調節
? 去除光耦和次級控制電路
? 內置恒流調節的線電壓補償
? 內置變壓器電感補償
? 內置輸出線補償
? 內置可提高效率的自適應PFM控制
? 低啟動電流
? 內置前沿消隱
? 逐周期電流限制
? VDD欠壓/過壓保護
? 輸出過壓保護
? 輸出短路保護
? 內置過溫保護
PL3369 小功率的充電器/適配器應用提供了很有效的解決方案,其新穎的恒流/恒壓控制使得系統不需要次級反饋電路,并能實現高精度的恒流/恒壓輸出,從而滿足更嚴格的能源損耗要求。
PL336 主要應用:手機充電器、小功率率電源適配器、LED驅動、消費類的備用電源、12W電源IC\適配器\LED驅動IC等。
