ONSEMI/安森美 SGL160N60UFDTU 分立半導體產品 晶體管 IGBT 單 IGBT 封裝TO-264-3 深圳市恒天華科技公司23年現貨
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ONSEMI/安森美-SGL160N60UFDTU-分立半導體產品-晶體管

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商品介紹
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品牌 ONSEMI/安森美
批號 23+
型號 SGL160N60UFDTU
類別 分立半導體產品 晶體管 IGBT 單 IGBT
包裝 管件
零件狀態 停產
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 160 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) 300 A
不同Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值) 2.6V @ 15V,80A
功率 - 最大值 250 W
開關能量 2.5mJ(導通),1.76mJ(關斷)
輸入類型 標準
柵極電荷 345 nC
25°C 時 Td(開/關)值 40ns/90ns
測試條件 300V,80A,3.9 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr) 95 ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3,TO-264AA
供應商器件封裝 TO-264-3
基本產品編號 SGL160
商品介紹
型號:SGL160N60UFDTU
品牌:ONSEMI/安森美
封裝:TO-264-3
批次:23+
數量:20000
電話/微信:18924598659
QQ:2881704035

SGL160N60UFDTU 分立半導體產品晶體管的應用與特性

引言

在現代電子產品中,分立半導體器件作為基礎元件廣泛應用于各種領域,包括消費電子、工業控制、通訊設備等。在眾多分立半導體產品中,晶體管是最為重要的一類。本文將重點探討SGL160N60UFDTU這一型號的分立半導體晶體管的特性和應用,分析其在實際電子電路中的表現以及在不同應用場景下的優勢。

SGL160N60UFDTU的基本參數

SGL160N60UFDTU是一款N溝道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其主要特性包括:具有600V的高擊穿電壓、160A的額定電流、以及較低的導通電阻。這些參數使得SGL160N60UFDTU非常適合在高電壓和大電流的條件下工作。

這種晶體管使用了先進的制造工藝,確保了其在高頻率、高功率應用中的穩定性和可靠性。此外,該產品具有較低的開關損耗,能夠在快速開關的情況下維持良好的性能。這一特性在現代開關電源和逆變器等應用中顯得尤為重要。

應用領域

SGL160N60UFDTU被廣泛應用于多個領域,其中包括:

1. 電源管理:在現代電源管理系統中,對高效能和高可靠性組件的需求日益增加。SGL160N60UFDTU能夠處理高功率,適用于開關電源中的主開關元件。其低導通電阻和高頻開關能力使得電源轉換效率得以顯著提升,降低了系統的整體能耗。

2. 電動機驅動:在電動機驅動應用中,要求半導體器件能夠承受高電壓和大電流的沖擊。SGL160N60UFDTU的160A額定電流特別適用于大功率電動機驅動系統。這類應用通常涉及PWM(脈寬調制)信號的處理,而SGL160N60UFDTU的快速開關特性則確保了良好的電動機控制性能。

3. 可再生能源系統:在光伏逆變器和風能逆變器中,SGL160N60UFDTU廣泛應用于逆變電路的主開關。其高效率的開關特性和能夠承受高電壓的能力,使其成為可再生能源轉換系統中的理想選擇。

4. 焊接設備:作為焊接設備中的功率開關,SGL160N60UFDTU能夠有效控制焊接電流。其高電流處理能力和快速響應特性,確保了焊接過程的穩定性和一致性。

性能優勢

SGL160N60UFDTU的設計使其在多個指標上優于傳統的硅晶體管。例如,其極低的導通電阻不僅減少了功耗,還降低了電路發熱。這一特性使得設備能夠在更高的效率下運行,提高了系統的可靠性。同時,得益于其較高的擊穿電壓,SGL160N60UFDTU能夠在惡劣工作環境中穩定工作,降低了器件損壞的風險。

在開關頻率方面,SGL160N60UFDTU表現出良好的特性。其快速的開關時間使得設備能夠以高頻率工作,這對于減小電源濾波器的體積、提高功率密度具有重要意義。高頻開關對提高電源效率、減少電源噪聲以及改善電源響應速度都起到了積極的作用。

散熱與封裝

在高功率應用中,散熱問題至關重要。SGL160N60UFDTU采用了專門設計的封裝形式,使其在實際應用中具備良好的散熱性能。通過優化引線布局和散熱片設計,該晶體管能夠在高溫環境下依然保持穩定的性能。適用于苛刻環境下載,滿足不同工業化需求。

對于布局設計,合理選擇元件布局可以進一步改善散熱效果,降低工作溫度。SGL160N60UFDTU的良好散熱能力為整體系統的可靠性提供了保障,同時亦減少了總體系統的保養和維護成本,提升了用戶的使用體驗。

競爭優勢

在分立半導體元件市場中,SGL160N60UFDTU憑借其卓越的性能和廣泛的適用性,與其他競品相比具有明顯的優勢。許多競爭對手的產品在某些方面的表現可能不如SGL160N60UFDTU,特別是在高電流和高電壓的承受能力上。此外,該產品在多個領域得到了廣泛應用,累積了豐富的市場反饋和應用實例,為其進一步的推廣和應用提供了堅實的基礎。

未來展望

隨著電子產品向著更小型化、高效率和高智能化發展,分立半導體器件也在不斷進化。SGL160N60UFDTU作為一款具有高性能的MOSFET,必將在未來的需求中扮演重要的角色。隨著技術的進步,該產品可能會進一步提升其性能,滿足更廣泛的應用場合需求。新材料的應用,如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),也將為半導體器件的發展開辟新的方向。

通過不斷的研發與創新,SGL160N60UFDTU將不斷適應日益變化的市場需求,在電源管理、工業自動化以及高效能驅動等領域繼續發揮其關鍵作用。


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公司名稱 深圳市恒天華科技有限公司
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