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然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接T2極，在黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，現在MOSFETRds（on）已經能夠做到毫歐級，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯連接。一旦被保護電路的電源極性反接，保護用場效應管會形成斷路，防止電流燒毀電路中的場效應管元件，保護整體電路。N溝道MOS管防反接保護電路電路如示N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。如采用TTL或CMOS等邏輯電平控制時，采用有足夠帶載能力的低電平驅動，并盡可能使“0”電平低于0.8V。如在噪聲很強的環境下工作，不能選用通、斷電壓值相差小的產品，選用通、斷電壓值相差大的產品，(如選接通電壓為8V或12V的產品)這樣不會因噪聲干擾而造成控制失靈。額定輸入電壓；它是指定條件下能承受的穩態阻性負載的允許電壓有效值。如果受控負載是非穩態或非阻性的，考慮所選產品是否能承受工作狀態或條件變化時(冷熱轉換、靜動轉換、感應電勢、瞬態峰值電壓、變化周期等)所產生的合成電壓。

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