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NP100P04PDG-E1-AY/RENESAS/瑞薩
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Brand Name | Renesas |
是否Rohs認證 | 符合 |
廠商名稱 | Renesas(瑞薩電子) |
零件包裝代碼 | MP-25ZP |
包裝說明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
針數 | 3 |
制造商包裝代碼 | PRSS0004AL-A3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代碼 | EAR99 |
雪崩能效等級(Eas) | 550 mJ |
外殼連接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源擊穿電壓 | 40 V |
最大漏極電流 (Abs) (ID) | 100 A |
最大漏極電流 (ID) | 100 A |
最大漏源導通電阻 | 0.0051 Ω |
FET 技術 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代碼 | TO-263AB |
JESD-30 代碼 | R-PSSO-G2 |
元件數量 | 1 |
端子數量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作溫度 | 175 °C |
封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流溫度(攝氏度) | NOT SPECIFIED |
極性/信道類型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 200 W |
最大脈沖漏極電流 (IDM) | 300 A |
認證狀態 | Not Qualified |
表面貼裝 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
處于峰值回流溫度下的最長時間 | NOT SPECIFIED |
晶體管應用 | SWITCHING |
晶體管元件材料 | SILICON |
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