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一、主要用途: 本設備廣泛應用于進行批量生產的各大、中、小型企業，它主要用于中小規模集 成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產,由于本機找平機構先進，找平力 小、使本機不僅適合各型基片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝 光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

二、 主要性能指標 1、曝光類型：單面，接觸式；

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm（也可以配專用曝光頭實現 g 線、h 線、I 線的組合）；

7、紫外光源壽命：≥2 萬小時；

8、曝光分辨率：1μm（正膠，膠厚 1.5μm）

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、對準范圍：X、Y±3mm；Q 粗調±15°，細調±3°；

12、套刻精度：1μm;

13、分離量；0～50μm 可調；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平；

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