TESCAN XEIA3 FIB-SEM雙束電鏡 集非凡的超高分辨成像能力和優(yōu)異的微細(xì)加工于一體。強(qiáng)大且超快速的微/納米 FIB 加工、低能電子束下的超高分辨率(UHR)、超快且可靠的微量分析和三維重構(gòu)功能,使得 XEIA3 成為一款理想易用的 FIB-SEM 系統(tǒng)。
世界上第一個帶有 SEM 的完全集成的 Xe 等離子體源 FIB 可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 2.5 μA 的極高離子電流,因此與傳統(tǒng)的 Ga 源 FIB 相比,濺射速率提高了 50 倍以上。這預(yù)先確定了 XEIA 用于銑削過去耗時或不可能的大量材料。
XEIA 是一款完全由 PC 控制的 SEM,具有肖特基場發(fā)射陰極與 Xe 等離子聚焦離子束 (SEM-FIB) 柱相結(jié)合,還完全配備了用于五種不同氣體的氣體注入系統(tǒng) (GIS)。XEIA 在新設(shè)計(jì)的大型樣品室中有 20 多個端口,還在一臺儀器中集成了多種納米分析功能。
TESCAN XEIA3 突出特點(diǎn)
Triglav? -新型超高分辨率 ( UHR ) 電子光學(xué)鏡筒
TriLens?物鏡系統(tǒng):獨(dú)特的電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合
具有多個 SE 及 BSE 探測器的先進(jìn)探測系統(tǒng)
TriSE?+ TriBE?
Triglav? - 低加速電壓下的超高分辨率:1 nm (1 kV ), 0.7 nm (15 kV )
EquiPower? 進(jìn)一步提高電子束的穩(wěn)定性
電子束流高達(dá) 400nA,并能實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變
優(yōu)化的鏡筒幾何設(shè)計(jì)最大可容納 8” 晶圓
極其強(qiáng)大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒
高電子回旋共振(High-ECR)產(chǎn)生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒,可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領(lǐng)域不能完成的任務(wù)
濺射速率比 Ga 液態(tài)金屬離子源快 50 倍
離子束流范圍:1 pA ~ 2 μA;分辨率:<25 nm
新研發(fā)的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒(選配),分辨率優(yōu)于< 15 nm,進(jìn)一步增強(qiáng)刻蝕能力
大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍,在無氣體輔助增強(qiáng)的條件下也可實(shí)現(xiàn)超快濺射
相較于 Ga 液態(tài)金屬離子源,離子注入效應(yīng)顯著減少
Xe 惰性氣體原子不會改變圖樣區(qū)域附近的電學(xué)性能
銑削過程中無金屬間化合物形成