
模塊供電ICOC586060V08A
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OC5860
0.5A,60V,1MHz 降壓型轉換器
深圳歐創芯半導體有限公司
www.ocxsemi.com
OC5860_DS01CN
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典型應用電路圖
概述
OC5860 是一款內置功率 MOSFET
的單片降壓型開關模式轉換器。OC5860
在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內實現 0.5 A
峰值輸出電流,并且具有出色的線電壓和
負載調整率。
OC5860 采用 PWM 電流模工作模式,
環路易于穩定并提供快速的瞬態響應。
OC5860 集成了包括逐周期電流限制
和熱關斷等保護功能。
OC5860 采用 SOT23-6 封裝,且外圍
元器件少。
特點
? 0.5 A 的峰值輸出電流
? 0.9Ω 的內部功率 MOSFET
? 可采用大輸出電容啟動
? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩定
? 效率高達 90%
? 固定 1 MHz 頻率
? 熱關斷
? 逐周期過流保護
? 寬輸入電壓范圍:5.5~60V
? 采用 SOT23-6 封裝
應用
? 電表
? 分布式電源系統
? 電池充電器
? 線性穩壓器的預調節器 OC5860
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封裝及管腳分配
管腳定義
管腳號
管腳名
描述
1 NC
懸空
2 GND
接地
3 FB
輸出反饋電壓腳
4 EN
芯片使能腳
5 IN
芯片電源。
6 SW
開關輸出腳 OC5860
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內部電路方框圖
極限參數
(注 1)
符 號
描述
參數范圍
單位
VIN
IN 腳工作電壓范圍
-0.3~65 V
VSW
SW 腳工作電壓范圍
-0.3~VIN+0.3 V
Vmax
EN 腳、FB 腳工作電壓范圍
-0.3~6 V
IEN_SINK
EN 腳灌電流
100
μA
TA
工作溫度范圍
-40~125
oC
PSOT23-6
SOT23-6 封裝功耗
0.25 W
TSTG
存儲溫度范圍
-45~150
oC
TSD
焊接溫度范圍(時間小于30秒)
260
oC
VESD
靜電耐壓值(人體模型)
2000 V
注 1:極限參數是指超過上表中規定的工作范圍可能會導致器件損壞。而工作在以上極限條件下可能會影響器
件的可靠性。 OC5860
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電特性(除非特別說明,VIN =12V,TA =25oC)
參數
符號
測試條件
最小值 典型值 值 單位
反饋電壓
VFB 4.5V
反饋電流
IFB VFB = 0.85V 0.1
μA
開關管導通電阻 RDS(ON)
0.9
Ω
開關管漏電流
ISW_LKG
VEN = 0V,VSW = 0V
1
μA
電流限制閾值
ILIM
1.0 1.25 1.5 A
振蕩器頻率
fSW
VFB= 0.6V 0.8 1 1.2 MHz
占空比
DMAX
VFB = 0.6V 95 %
最小打開時間
τON
100 ns
欠壓鎖定上升電壓
UUVLO_R
5.5 V
欠壓鎖定遲滯電壓
UUVLO_HYS
500 mV
EN 上升閾值
VEN_R
1.35 V
EN 下降閾值
VEN_F
1.17 V
EN 遲滯閾值
VEN_HYS
180 mV
EN 輸出電流
IEN
VEN = 2V 3.1
μA
VE N= 0V 0.1
VIN 關斷電流
IS
VEN = 0V 3
μA
VIN 靜態電流
IQ
VEN = 2V,VFB = 1V
0.7 0.8 mA
熱關斷
TSD
165
oC
熱關斷遲滯
TSD_HYS
20
oC OC5860
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應用指南
概述
OC5860 是一款電流模式的降壓調節器,EA的輸出電壓與電感的峰值電流成比例。
在周期開始時,功率管M1 關斷。EA的輸出電壓大于電流采樣放大器的輸出,電流比較器
的輸出為低,1MHz的CLK上升沿觸發RS觸發器置高,打開M1 將電感通過SW連接到輸入電源。
不斷增大的電感電流被電流采樣放大器采樣并放大。斜波補償疊加到電流采樣放大器輸出
端,并與EA的輸出一起送到PWM比較器進行比較。當疊加了斜波補償的電流采樣放大器輸出
大于EA輸出時,RS觸發器被重置并關斷M1。電感電流經由外部的肖特基二極管D1 續流。
反饋電壓FB與 0.81V的基準電壓通過EA比較,當FB腳電壓低于 0.81V時使EA輸出增大。
EA的輸出電壓正比于電感的峰值電流,EA輸出電壓增大則輸出電流也增大。
OC5860 自帶 0.6ms的軟啟動。軟啟動防止輸出電壓在啟動階段過沖。在芯片啟動時,內部
電路產生一個以固定斜率上升的軟啟動電壓SS,當SS低于內部基準電壓時,SS被用來做EA的
參考電壓,內部基準電壓被屏蔽。當SS大于內部基準電壓時,內部基準電壓控制EA。
當輸出端有非常大的輸出電容時(例如 2200μF或者更大),輸出電壓的上升速度小于SS,
因為需要給大輸出電容充電的電流大于此時芯片的輸出電流能力。在啟動階段芯片工作在
限流狀態直至輸出電壓Vo上升到穩定值。
輸出電壓設置
通過連接于FB腳的分壓電阻R1,R2 設置輸出電壓。反饋電阻(R2)同時還通過內部補償網
絡來設置反饋環路的帶寬。R1 的取值如下:
1
0.812
Vout R2 R1 ? ?
V
下表 1 列出了常用輸出電壓的電阻取值
Vout(V) R1(KΩ) R1(KΩ)
1.8
102(1%) 124(1%)
2.5
59(1%) 124(1%)
3.3
40.2(1%) 124(1%)
5
23.7(1%) 124(1%)
12
8.2(1%) 113(1%) OC5860
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電感取值
對大多數應用,電感的直流額定電流至少要比負載電流大 25%。為了達到更高的效率,
電感的直流電阻要小于 200mΩ.電感的取值可有下面的公式計算得到:
? ?
IN L SW
OUT IN OUT
V I f
V V - V L
? ? ?
? ?
其中, L ?I 為電感紋波電流。
電感的紋波電流取值為負載電流的 30%,電感的峰值電流由下面公式計算得到:
2
I
I I
L
L MAX LOAD? ( )? ?
輕載模式下(低于 100mA),可使用一個大感量值的電感來提高效率。
輸入電容的取值
輸入電容用來減小輸入電源的沖擊電流并抑制開關噪聲。開關頻率下輸入電容的容抗要小
于輸入源的阻抗,可以防止高頻開關電流流入輸入端。可使用低ESR和低溫度系數的陶瓷電容
X5R或X7R,對大多數應用來說 4.7μF的容值就夠用了。對于輸入電壓較高的應用,應在輸入
端并聯電解電容以抑制開關機時的輸入電壓尖峰。
輸出電容的取值
輸出電容可保持小的輸出紋波電壓,并保證反饋環路的穩定性。在開關頻率下必須保證輸
出電容的容抗足夠小。可使用低ESR的陶瓷電容X5R或X7R,對大多數應用來說 22μF的容值就
夠用了。
PCB 布局注意
PCB布局對電路穩定工作很關鍵。請遵循以下布局指導:
1) 保持開關電流通路走線盡可能短并最小化功率環路面積(功率環路由輸入電容、MOS和肖
特基二極管構成)。
2) 功率地 ->肖特基二極管->SW 引腳連接通路應盡可能短和寬。
3) 確保反饋電阻靠近芯片,且走線應短。
4) SW走線應遠離FB反饋信號。
5) IN, SW, GND 需用大的銅箔連接以改善芯片發熱提高長期穩定性。 OC5860
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