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加在控制極G上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。與單向可控硅的區別是，雙向可控硅G極上觸發脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。 電子制作中常用可控硅，單向的有MCR－100等，雙向的有TLC336等。

IG模塊ABB可控硅FS200R06KE3ABB可控硅

在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅的主要參數: 1 額定通態電流（IT)即zui大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。 2 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM*VDRM一般為幾百伏到一千伏。 3 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

ABB失壓動作模塊的控制開關是一個可控硅，交流通過可控硅就會變成半波脈動的電流，這個時候50HZ的400V電流通過只有200V左右，頻率降低到44，電壓會降低到160V左右，失壓模塊肯定要動作了，一般失壓模塊的zui低閾值在175左右。

IG模塊ABB可控硅FS200R06KE3，ABB晶閘管 

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