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商品介紹
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系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT在關(guān)斷過程中,漏電流的波形變?yōu)閮啥巍R驗镸OSFET關(guān)斷后,PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除,造成漏電流較長的尾部時間,td(off)為關(guān)斷延遲時間,trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而漏電流的關(guān)斷時間。
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