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特色

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新的電子和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)

用改良的高真空性能和無與倫比的電子束穩(wěn)定性來實現率截面觀察。

采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。