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該產品采用 H 橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作電壓范圍覆蓋 2.5V 到 5V。27℃，VDD=4V 條件下持續輸出電流達到 0.5A，峰值輸出電流達到0.8A。

該單路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發熱與負載電流、功率管導通內阻以及環境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時監控芯片內部發熱，當芯片內部溫度超過設定值時(典型值 150℃)，產生功率管關斷信號，關閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重安全事故。芯片內置的溫度遲滯電路，確保電路恢復到安全溫度后，才允許重新對功率管進行控制。