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一、使用動態HGLSQ離子群水處理機組（電離釋放型動態水處理系統）的幾個理由
    傳統處理循環冷卻水的方法主要是加入化學藥品來微生物生長和結垢，但因水中藥品和無機鹽隨水的蒸發而濃度增加，這樣必須排放部分含藥和無機鹽的冷卻水，同時及時補充清潔水。傳統處理方法帶來的問題：系統用水量增加和大量排水，間接導致水費增加；微生物的抗藥性，要求及時地、適時地改變藥品；盡管如此，結垢問題、生物膜，軍團菌三大問題還是不能徹底解決。
    由冷卻塔等設備形成的循環冷卻水系統是軍團菌容易生存、繁殖的場所，同時可借助冷卻塔冷卻風機，
將軍團菌散布至都市各個角落，對人體產生極大的危害之隱患。

三、循環冷卻水質穩定性判斷
1、飽和指數法：I_L=PHe-PHs
式中IL-飽和指數（朗格利爾指數）
熱阻為傳熱系數的倒數。
PHe-水的實例PH值；
PHs-水的碳酸鈣飽和平衡時的PH值；
(1)當I_L=PHe-PHs＞0時，水中的碳酸鈣處于過飽和狀態，有結垢傾向。
(2)當I_L=PHe-PHs=0時，水中的碳酸鈣剛好處于平衡狀態，不腐蝕、不結垢。
(3)當I_L=PHe-PHs＜0時，水中CO₂過飽和，有腐蝕傾向。
2、穩當指數法： I_L=2PHs-PHe
3、臨界PH值法；
4、用試驗方法測得剛剛出現結垢時的水的PH值，稱為臨界PH值，用PHc表示。
動態HGLSQ離子群控制：PH值    電導率   濁度     鈣離子    鎂離子   軍團菌  微生物 
                 氯離子  總硬度   鋅離子   總鐵離子   正磷     總磷
離子群的簡寫：Cooperate

四、動態HGLSQ離子群的控制原理
    在噴淋式冷卻塔中，軍團菌易繁殖。軍團菌也是一種非典型肺炎病菌，能在25~42℃水溫下迅速繁殖，這種病菌通常存在于空調冷卻塔，加濕器和冷熱水管道中，由飛灑的水滴和灰塵攜帶，通過建筑物的通風系統和空調的新風系統進入室內。2006 年2 月10 衛生部發布的《公共場所集中空調通風系統衛生管理辦法》明確規定: 空調系統冷卻水、冷凝水不得檢出軍團菌。
磷酸鹽和聚合物類阻垢劑
    冷卻水系統在水高濃縮倍數下進行，由于磷酸鹽會大量的附著在金屬的表面上，反而引起結垢的危害，并且，聚磷酸鹽會水解生成正磷酸鹽，生成磷酸鹽垢。后有磷酸鹽和聚合物類阻垢劑的復合藥劑，即使冷卻水被高度濃縮，仍能充分發揮緩蝕和阻垢效果。
   1.光催化劑的主要成分是納米級的二氧化鈦，它吸收陽光中的紫外線后，可形成活性氧類的超氧化物，破壞所寄宿細胞的細胞，凝固的蛋白質，的活性和的繁殖，能力達99.9%。
   2.氧化性劑通常為強氧化劑，能夠氧化微生物體內起代謝作用的酶，從而殺滅微生物。氧化性劑對所有的微生物都有良好的殺滅能力。
   3.非氧化性劑是以致毒劑作用于微生物，破壞微生物的或分裂細胞壁。
   4.剝離劑在冷卻水中使用微生物剝離劑，他們不能直接殺死微生物，但是可以將微生物從系統中剝離下來，被沖走或由劑將其殺滅。主要的特點，剝離劑可以去除微生物粘泥的沉積，系統的清潔，這是控制軍團菌為有效的方法。
氧化銀
    微生物在循環冷卻水系統中的大量繁殖生長會使水質惡化,影響系統正常運行 。由日本開發研制的載銀玻璃抗菌劑以磷酸鹽玻璃和硼硅酸鹽玻璃為載體,在玻璃熔制過程中加入了氧化銀作為成分 。在冷卻循環水箱中添加適量上述可溶性玻璃及適量銅鋅合金纖維,可以持久、滅藻及防止污穢。另一種工業循環冷卻水用玻璃由SiO2 、Na2O、Al2O3 和Ag2O 組成,由于不含硼,所以這種玻璃成本低,含少量Al2O3 可提高玻璃中Ag2O 的含量并減緩玻璃的潮解,滅藻性能更強、更持久。
空調水系統
    在熱水系統包括空調水系統中經常會滋生一些致病微生物,如軍團菌等,危害人類健康。直接使用銀鹽就能很好地殺滅熱水系統中的軍團菌。研究表明，3μg/ L 的銀離子就能很好地控制循環熱水系統中軍團菌的生長。為控制熱水系統中的軍團菌，現在使用較多的是銅銀離子復合劑。Stout等在醫院熱水系統中采用含銀離子0104 mg/ L 、銅離子0117 mg/ L 的銅銀離子復合劑來控制軍團菌并取得了較好的效果。

游泳池水處理
    游泳池水處理用劑必須有高度的安全性，因此含銀劑在這一領域有廣闊的應用前景。Antelman 發明了一種能用于游泳池水處理的劑，該藥劑以正2 價銀的氧化物為主要物質，能在水中穩定存在，效率高，并且對人體有高度的安全性，完全能取代氯系、溴系劑。
飲用水處理
    桂冠環保公司研制出一種飲用水用高分散銀型活性炭纖維劑，與水接觸后可緩釋出銀離子，從而起到作用。據報道，這種高分散銀型活性炭纖維與水接觸2 h 后就可將常見病原性的大腸桿菌和金黃色葡萄球菌完全殺滅。
氧化硼
    加入H2S04，使易揮發的PbCl2轉變成難揮發的PbSO4或將氯離子轉變為氯化氫而趕走。NaOH曾被用來沉淀鐵為氫氧化鐵或轉鋅為鋅酸鹽；H3B03可以防止Pb（ND3）2被器皿滯留并使PbCl2定量回收，是因為硼與硅和鉛反應形成了硼-硅-鉛玻璃，而防止鉛被揮發，同時由于氧化硼形成二相的化合物，在酸的作用下，可以使Pb定量的轉入溶液，而防止了被石英器皿滯留。

五、槐氏公式的定性解釋

分散度即顆粒大小,分散度越大,顆粒越小。

六、沉淀的形成過程
1、沉淀形成過程

2、成核作用（晶核的形成）
（1）均相成核作用（自發成核）
構晶離子在過飽和溶液中由于靜電作用先形成離子對→離子群→晶核。
（2）異相成核作用（誘導成核）
溶液中某些固體微粒、容器壁上的毛刺等起晶種作用，形成晶核（晶核數不變）。
七、表面吸附
吸附層：優先吸附構晶離子 。
擴散層：優先吸附與構晶離子能形成溶解度小，離解度小的物質的抗衡離子。當C相近時，
Z愈大，變形性愈大，越易被吸附；
當Z相同時，C愈大，越易被吸附。
一般，某些陰陽離子被吸附的強度順序

八、安裝示意圖 
九、動態HP離子群機組參數及尺寸表

型   號	進出水口直徑（mm）	大處理流量（T/h）	主機尺寸（mm）			副機尺寸（mm）				電  源	離子群釋放 時間（天）	參數重量（kg）
			L	H	B	L	h1	h2	d			主機	機副
HGLSQ2R/N	50	35	600	1200	500	680	251	612	20	220V232W	150	30	45
HGLSQ-3R/N	80	55	600	1200	500	710	278	612	25	220V242W	150	30	48
HGLSQ-4R/N	100	90	600	1200	500	710	318	612	25	220V282W	150	30	56
HGLSQ-5R/N	125	130	600	1200	500	730	327	645	25	220V312W	150	30	72
HGLSQ-6R/N	150	190	600	1200	500	730	382	695	40	220V580W	150	30	80
HGLSQ-8R/N	200	320	600	1200	500	780	410	825	40	220V610W	150	30	95
HGLSQ10R/N	250	500	600	1200	500	805	490	850	50	220V640W	150	30	126
HGLSQ12R/N	300	760	600	1200	500	935	520	910	50	220V720W	150	30	175
HGLSQ14R/N	350	1100	600	1200	500	1080	554	930	80	220V780W	150	30	216
HGLSQ16R/N	400	1350	600	1200	500	1180	572	985	80	220V832W	150	30	265
HGLSQ18R/N	450	1600	600	1200	500	1260	600	1025	80	220V880W	150	30	358
HGLSQ20R/N	500	2200	600	1200	500	1345	718	1070	100	220V950W	150	30	475
HGLSQ24R/N	600	2900	600	1200	500	1490	841	1140	100	220V1080W	150	30	740
HGLSQ28R/N	700	3450	600	1200	500	1620	992	1186	100	220V1200W	150	30	999
HGLSQ32R/N	800	4150	600	1200	500	1700	1190	1245	100	220V1450W	150	30	1350
R為冷卻水、N為冷凍水。

十、參數與功能要求
  過濾精度：1.0～8.0mm                 管道連接：GB法蘭
  離子置換率>90%                       濁度<21     PH  7~8
  總硬度<800mg/L                       設備承壓≤1.6mpa
  電流：Ac220v  50Hz                   溶縮倍數：6～8倍
  除垢：>99%                           防垢：>99%
  除銹：>98%                           水溫：0~80℃ 
  殺軍團菌率>99%                       滅藻率>99%
  殺滅率>99%                       壓損<0.016Mpa
  流速1～25m/s                         水頭損失：0.15～1.0m
  壓差范圍：28～310KPa                 電異率≤200us/cm
  防腐蝕率：<0.005毫米/年               腐蝕速度≤0.125mm／a(5mpy)
  色度≤80~100                         陰離子N03