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光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。

以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領域全球市場規模趨于穩定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內承接產業轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩定增速，國內市占率穩步抬升。

光刻膠生產、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，需要足夠的中后期資金支持。企業持續發展也需投入較大的資金，光刻膠行業在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內廠商，其公司規模更大，具有資金和技術優勢。

總體上，光刻膠行業得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”；國家重點支持的高新技術領域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發展的新材料技術”；光刻技術（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領域。

光刻膠應用

光刻膠是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料，是由光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體，其中，樹脂約占50%，單體約占35%。它能通過光化學反應改變自身在顯影液中的溶解性，通過將光刻膠均勻涂布在硅片、玻璃和金屬等不同的襯底上，利用它的光化學敏感性，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜版上的圖形轉移到襯底上。

光刻膠常被稱為是精細化工行業技術壁壘的材料，是因為微米級乃至納米級的圖形加工對其專用化學品的要求極高，不僅化學結構特殊，品質要求也很苛刻，所以生產工藝復雜，需要長期的技術積累。

被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是電子制造領域的關鍵材料之一。下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用，是微細加工技術的關鍵性材料。