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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠
NR9-3000PY光刻膠

二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

PR1-1000A1光刻膠光刻膠

5,顯影液

在已經曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或將其浸泡在顯影液中，正膠是曝光區、而負膠是非曝光區的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現出來，形成三維圖像。

顯影完成后通常進行工藝線的顯影檢驗，通常是在顯微鏡下觀察顯影效果，顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。

影響顯影的效果主要因素：

1，曝光時間，2前烘溫度和時間，3光刻膠膜厚，4顯影液濃度溫度，5顯影液的攪動情況。

以下是賽米萊德為您一起分享的內容，賽米萊德專業生產光刻膠，歡迎新老客戶蒞臨。

光刻膠市場空間與半導體的分不開。2012-2018年全球半導體市場規模復合增速8.23%，在全球半導體行業的快速發展下，全球半導體光刻膠市場持續增長。

而國內市場，因全球半導體、液晶面板以及消費電子等產業向國內轉移，對光刻膠需求量迅速增量。

但是遠遠不夠，從全球光刻膠的市場競爭格局來看，光刻膠市場主要由日韓企業主導，國內企業市場份額集中在低端的PCB光刻膠上，高技術壁壘的LCD 和半導體光刻膠主要依賴進口。根據某些數據顯示，國內光刻膠產值當中，PCB光刻膠的占比高達95%，半導體光刻膠和LCD光刻膠產值占比都僅有2%。

由上分析可知，我國目前在光刻膠領域急需技術突破的。