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性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品

性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的獨特耐火保溫材料產品。相對密度3.19g/cm3。熱膨脹系數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。耐熱性好，1200～2000℃熱交換器上一千次不毀壞。抗折強度可達200~700MPa，耐空氣氧化溫度1400℃，在復原氛圍中可達1870℃。室內溫度電阻1.1×1014Ω·m。選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。

Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結構，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損，使其強度降低，在1450℃以上更易出現疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

氮化硅陶瓷制品的生產方法有兩種，即反應燒結法和熱壓燒結法。反應燒結法是將硅粉或硅粉與氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生產方法成型。然后在氮化爐內，在1150~1200℃預氮化，獲得一定強度后，可在機床上進行機械加工，接著在1350~1450℃進一步氮化18~36h，直到全部變為氮化硅為止。這樣制得的產品尺寸，體積穩定。熱壓燒結法則是將氮化硅粉與少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、AlF3或Fe2O3等），在19.6MPa以上的壓力和1600~1700℃條件下壓熱成型燒結。通常熱壓燒結法制得的產品比反應燒結制得的產品密度gao，性能好。