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北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營(yíng)：光刻膠

光刻膠國(guó)內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國(guó)際水平差距的原因很多。過(guò)去由于我國(guó)在開(kāi)始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個(gè)產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強(qiáng)，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時(shí)間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此，國(guó)外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對(duì)中國(guó)長(zhǎng)期保密。中國(guó)的研發(fā)技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展

PR1-1500A1光刻膠

6，堅(jiān)膜

堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。

堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min

7，顯影檢驗(yàn)

光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對(duì)準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡

小孔、小島。

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長(zhǎng)達(dá)3 年

光刻膠

按感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應(yīng)用中，采用不同單體可以形成正、負(fù)圖案，并可在光刻過(guò)程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類(lèi)，在光作用下生成自由基，自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類(lèi)化合物，經(jīng)光照后,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng)，由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯(lián)型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的雙鍵打開(kāi)，鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從而起到抗蝕作用。

按曝光波長(zhǎng)，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)的水平。