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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠
?Futurrex

提供先進化學技術的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設在美國新澤西州，富蘭克林市,高速成長并超過20年連續盈利的跨國公司

公司業務覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲

基于多樣化的技術

應用領域：微電子、光電子、LED、太陽能光伏、微機電系統、生物芯片、微流體、平面印刷

解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財富100強到以風險投資為背景的設備研發及制造公司

使命

目標

提供特殊化學品和全新工藝來增加客戶的產能

策略

提供獨特的產品來優化生產制程，以提高設備能效

領的技術提升生產過程中的整體性價比

工藝步驟的減少降低了成本和產生瑕疵的可能

增加客戶的產能和生產的效率

工藝減化

非同尋常的顯微構造、金屬及介電層上的圖形轉換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

在生產過程中，不含有害溶劑

支持所有客戶的需要，與客戶共創成功

負性光刻膠原理

又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應的發生一種光化學反應或者激勵作用。光化學反應中的光吸收是在化學鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態轉入激勵態時引起的。對于有機物，基態與激勵態的能量差為3~6eV，相當于該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學鍵合中起作用的電子轉入激勵態。化學鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質后，因與物質具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質的電子中，因此生成激勵狀態的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發光刻膠的化學反應。

光刻膠的核心參數是什么？

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數。隨著集成電路的發展，芯片制造特征尺寸越來越小，對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發展。

以上就是為大家介紹的全部內容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯系我們。