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光刻膠國內研發現狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環節的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前，整個產業是中間加工環節強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。

光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業在配方、生產工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展

光刻膠運輸標識及注意事項

標簽上標明的意思

R標識

R10 YI燃。

S標識

S16  遠離火源-禁止吸煙。

S 24 避免接觸皮膚。

S 33對靜電放電采取預防措施。

S 9  將容器保持在通風良好的地方。

水生毒性

通過自然環境中的化學、光化學和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對水生生物是安全的。鹵化反應可能發生在水環境中。

光刻膠工藝

主要用于半導體圖形化工藝，是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓，完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。

在目前比較主流的半導體制造工藝中，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的核心設備。目前，ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上，媲美一架F35 戰斗機。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術先進水平。