雙層光刻膠品牌 Futurrex 半導(dǎo)體光刻膠
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商品介紹
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聯(lián)系方式
縱橫比 4.5
可售賣地 全國(guó)
聚焦補(bǔ)償 -15μm
耐溫 150度
膜厚 54μm
掩模尺寸 12μm
運(yùn)輸方式 貨運(yùn)及物流
光刻膠型號(hào) NR5-8000
曝光能量 1100 mJ/cm22
產(chǎn)品編號(hào) 14128975
商品介紹
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營(yíng):光刻膠




芯片光刻的流程詳解(一)

在集成電路的制造過程中,有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因?yàn)橛辛怂?,我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?,F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后,開始試圖復(fù)一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時(shí)的日曬,透光部分的瀝青明顯變硬,而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板,Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后,即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板,即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管,當(dāng)時(shí)分辨率5um,如今除可見光光刻之外,更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。


負(fù)性光刻膠原理

又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增料)和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長(zhǎng)的光或者射線時(shí),會(huì)相應(yīng)的發(fā)生一種光化學(xué)反應(yīng)或者激勵(lì)作用。光化學(xué)反應(yīng)中的光吸收是在化學(xué)鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)時(shí)引起的。對(duì)于有機(jī)物,基態(tài)與激勵(lì)態(tài)的能量差為3~6eV,相當(dāng)于該能量差的光(即波長(zhǎng)為0.2~0.4μm的光)被有機(jī)物強(qiáng)烈吸收,使在化學(xué)鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)?;瘜W(xué)鍵合在受到這種激勵(lì)時(shí),或者分離或者改變鍵合對(duì)象,發(fā)生化學(xué)變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后,因與物質(zhì)具有的電子相互作用,能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中,因此生成激勵(lì)狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)。

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如何選購光刻膠?

光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質(zhì),使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的,但實(shí)際應(yīng)用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對(duì)光刻膠進(jìn)行合理的選擇。

劃分光刻膠的一個(gè)基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后,被浸入顯影溶液中。在顯影過程中,正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下,未曝光的區(qū)域保持不變。負(fù)性光刻膠正好相反,在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙猓毓獾膮^(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是的,因此在IC制造中的應(yīng)用更為普及,但MEMS系統(tǒng)中,由于加工要求相對(duì)較低,光刻膠需求量大,負(fù)性膠仍有應(yīng)用市場(chǎng)。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容,希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識(shí),歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。


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