北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠
負性光刻膠

負性光刻膠

    負性光刻膠分為粘性增強負性光刻膠、加工負性光刻膠、剝離處理用負性光刻膠三種。

    A、粘性增強負性光刻膠

    粘性增強負膠的應用是在設計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負膠。粘性增強負膠的特性是在濕刻和電鍍應用時的粘附力；很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    粘性增強負膠對生產量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。優于傳統正膠的優勢：控制表面形貌的優異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、不必使用粘度增強劑。

    i線曝光用粘度增強負膠系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h線曝光用粘度增強負膠系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工負膠

    加工負膠的應用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負膠的特性在RIE加工時優異的選擇性以及在離子植入時優異的溫度阻抗，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    加工負膠優于正膠的優勢是控制表面形貌的優異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、優異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進行高能量離子減薄、不必使用粘度促進劑。

    用于i線曝光的加工負膠系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

市場規模

中國半導體產業穩定增長，全球半導體產業向中國轉移。據WSTS和SIA統計數據，2016年中國半導體市場規模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規模為19.55億元，其配套材料市場規模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規模將分別達到22.64億元和29.36億元。在28nm生產線產能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導體工廠的設立，也拉動了國內半導體光刻膠市場需求增長。

光刻膠的組成

以下內容由賽米萊德為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。

樹脂( resin/polymer)，光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質( 如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑，感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent),保持光刻膠的液體狀態,使之具有良好的流動性;添加劑( Additive )，用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一-種天然的橡膠;溶劑是;感光劑是一種經過曝光后釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶于顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。