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高溫光刻膠公司-固體光刻膠-Futurrex
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光刻膠的應用
以下內容由賽米萊德為您提供,希望對同行業的朋友有所幫助。
模擬半導體(Analog Semiconductors)發光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機電系統(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)
光刻膠的相關內容
光刻膠必須滿足幾個硬性指標要求:高靈敏度,高對比度,好的蝕刻阻抗性,高分辨力,易于處理,高純度,長壽命周期,低溶解度,低成本和比較高的玻璃化轉換溫度(Tg)。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。
感光膠的主要成分是樹脂或基體材料、感光化合物以及可控制光刻膠機械性能并使其保持液體狀態的溶劑。樹脂在曝光過程中改變分子結構。感光化合物控制樹脂定相的化學反應速度。溶劑使得膠能在圓片上旋轉擦敷并形成薄瞙。沒有感光化合物的光刻膠稱為單成分膠或單成分系統,有一種感光劑的情形下,稱為二成分系統。因為溶劑和其他添加物不與膠的感光反應發生直接關系,它們不計入膠的成分。
在曝光過程中,正性膠通過感光化學反應,切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系,達到削弱聚合體的目的,所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠,在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密,并且從鏈下墜物增長,所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區間顯影,負性膠則相反。負性膠由于曝光區間得到保留,漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像,而正性膠相反,為下寬上窄的圖像。
微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢?
賽米萊德專業生產、銷售光刻膠,我們為您分析該產品的以下信息。
一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠,正性光刻膠比負性的精度要高,負膠顯影后圖形有漲縮,負性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度,正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率,但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠,在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。
