玻璃光刻膠品牌 Futurrex 半導(dǎo)體光刻膠
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玻璃光刻膠品牌-Futurrex-半導(dǎo)體光刻膠

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北京賽米萊德貿(mào)易有限公司

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運(yùn)輸方式 貨運(yùn)及物流
可售賣地 全國
耐溫 150度
聚焦補(bǔ)償 -15μm
掩模尺寸 12μm
膜厚 54μm
縱橫比 4.5
光刻膠型號 NR5-8000
曝光能量 1100 mJ/cm22
報價方式 按實(shí)際訂單報價為準(zhǔn)
產(chǎn)品編號 13995018
商品介紹
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營:光刻膠




光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料,可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變,這是整個工藝的基礎(chǔ)。

光刻膠有不同的類型,PMMAPMGI)以及DNQ(酚醛樹脂)等材料都可以做光刻膠。

 目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家,包括 FUTURREX、陶氏化學(xué)、杜邦、富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)、LG化學(xué)等等,中國公司在光刻膠領(lǐng)域也缺少核心技術(shù)。

 


光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料,隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造,并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%,耗時占整個芯片工藝的40%~60%,是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例,在光刻工藝中,光刻膠被均勻涂布在襯底上,經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝,將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求,半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率,世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別,光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前,半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠,其中,g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。


光刻膠的應(yīng)用

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模擬半導(dǎo)體(Analog Semiconductors)發(fā)光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)



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