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光刻膠的相關信息

利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W結構，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。光交聯型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。

微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

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一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠，正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。

光刻膠的組成

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樹脂( resin/polymer)，光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質( 如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑，感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent),保持光刻膠的液體狀態,使之具有良好的流動性;添加劑( Additive )，用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一-種天然的橡膠;溶劑是;感光劑是一種經過曝光后釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶于顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。