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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。

NR9-3000PY光刻膠

二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長為365 或者436納米，可用于晶圓步進器、掃描投影對準器、近程打印機和接觸式打印機等工具。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優勢：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長達2年。