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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠

光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能，Futurrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。

NR77-20000P光刻膠

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。

NR77-25000P,RD8

 品牌

 產地

 型號

 厚度

 曝光

 應用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區）凸點、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時形成光刻膠倒

     梯形結構

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長

     曝光

     對生產效率的影響：

     金屬和介電質圖案化

     時省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 0.7μm~2.1μm

 粘度增強

 NR9-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR71G-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

  負膠對  g、h線波長的靈敏度

 NR71G-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR71G-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR71G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 粘度增強

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR9G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 品牌

 產地

 型號

 厚度

 耐熱溫度

 應用

 Futurrex

 美國

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm