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北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

光刻膠

光刻膠組分及功能

光引發(fā)劑

光引發(fā)劑吸收光能（輻射能）后經(jīng)激發(fā)生成活性中間體，并進(jìn)一步引發(fā)聚合反應(yīng)或其他化學(xué)反應(yīng)，是光刻膠的關(guān)鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等起決定性作用。

樹脂

光刻膠的基本骨架，是其中占比較大的組分，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、曝光前后對溶劑溶解度的變化程度、光學(xué)性能、耐老化性、耐蝕刻性、熱穩(wěn)定性等。

溶劑

溶解各組分，是后續(xù)聚合反應(yīng)的介質(zhì)，另外可調(diào)節(jié)成膜。

單體

含有可聚合官能團(tuán)的小分子，也稱之為活性稀釋劑，一般參加光固化反應(yīng)，可降低光固化體系粘度并調(diào)節(jié)光固化材料的各種性能。

光刻膠的參數(shù)

賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名：resolution。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

對比度

對比度（Contrast）指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度（Sensitivity）光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的能量值（或曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。

粘滯性黏度

粘滯性/黏度（Viscosity）是衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運(yùn)動粘滯率定義為：運(yùn)動粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。

粘附性

粘附性（Adherence）表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕、離子注入等）。

抗蝕性

抗蝕性（Anti-etching）光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

表面張力

液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力（Surface Tension），使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。