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紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為zui大，這時可判定IG模塊門極正常。如果有數字顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。

IG（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IG綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域

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ABBIG型號遵循和變頻器型號一樣的規則。
71C是用到電壓等級為380V和500V的ACS800機器里的。
76C則是用到電壓等級為690V的機器里。
IG模塊是由IG（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IG模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。
R7的逆變是一塊大IG（三塊連在一體的小IG）焊接在一塊AGDR上。R8的逆變是3快R7的IG各成一相。
R7的通過AINT過來的3根扁平電纜控制一塊AGDR觸發三塊小IG，每一根線來控制觸發一塊小IG，每一快小IG做一相輸出。
R8是AINT過來3根扁平電纜控制3快AGDR，每一塊大的IG各成一相輸出。

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