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硅粉的粒度越細,比表面積越大,則可降成溫度

硅粉的粒度越細，比表面積越大，則可降成溫度。粒度較細的硅粉與粒度較粗的硅粉相比，制品中含α- Si3N4的量。降低硅粉的粒徑，可以降低制品的顯微氣孔尺寸。適當的粒度配比，可以提高制品密度。

溫度對氮化速率影響很大。在970～1000℃氮化反應開始，在1250℃左右反應速率加快。在高溫階段，由于是放熱反應，若溫度很快超過硅的熔點（1420℃），則易出現流硅，嚴重的將使硅粉坯體熔融坍塌。

氮化硅結合碳化硅磚是以高純SiC為骨料，添加硅粉等外加劑，依據原位生成理論，在氮化爐中燒制而成。該產品具有強度高、高溫耐磨性好、熱傳導率高、熱膨脹系數小、熱震穩定性好等優點，特別是其具有優異的性、抗堿和CO侵蝕性。

其結構特征是：SiC大顆粒為基質所包圍，基質部分由粒狀SiC和原位生成的纖維狀Si3N4所組成，Si3N4纖維交織成三維空間網絡，將SiC小顆粒包圍起來，并與SiC大顆粒形成牢固的機械結合。根據要求配以各種結合劑,經高壓成型，制品具有良好的熱穩定性和較高的導熱系數,且耐腐蝕性好,是工業窯爐理想的節能材料，該產品具有高溫耐磨性好、膨脹系數小、熱震穩定性好等特點。適用于氣化爐氣體出口處，特別要求熱震穩定性良好。

噴霧造粒技術

噴霧造粒是指將混合好的料漿直接噴霧到熱空氣中，快速干燥并得到形狀規則的球狀粉粒的造粒方法。通常采用離心式或壓力式噴霧造粒設備對混合后的氮化硅漿料實行邊攪拌邊造粒，從而使得氮化硅粉體均勻分布，從而提高氮化硅顆粒的球形度和粉料的流動性，并改善粉料的粒徑分布。優化噴霧造粒工藝參數，制備出成分高均勻、高一致性的氮化硅球形粉體。噴霧造粒過程中溫度、壓力、供料速度以及攪拌時間、粘結劑的種類等因素對造粒后氮化硅粉料粒徑尺寸、分散性具有重要影響。