

北京賽米萊德貿易有限公司
主營產品: 其他電工電氣輔材
Futurrex-光刻膠-雙層光刻膠
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光刻的工序
下面我們來詳細介紹一下光刻的工序:
一、清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷,提高光刻膠黏附性
基本步驟:化學清洗——漂洗——烘干。
自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用,1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝,近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來,例如:美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(例Goldfinger Mach2清洗系統)、美國SSEC公司的雙面檫洗技術(例M3304 DSS清洗系統)、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(用電介超純離子水清洗)使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平、以HF / O3為基礎的硅片化學清洗技術。
光刻膠
在曝光過程中,正性膠通過感光化學反應,切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系,達到削弱聚合體的目的,所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠,在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密,并且從鏈下墜物增長,所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區間顯影,負性膠則相反。負性膠由于曝光區間得到保留,漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像,而正性膠相反,為下寬上窄的圖像。
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光刻膠定義
光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist,又翻譯為抗蝕劑、光阻等。廣泛應用于集成電路(IC),封裝(Packaging),微機電系統(MEMS),光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板顯示器(LED,LCD,OLED),太陽能光伏(Solar PV)等領域。
期望大家在選購光刻膠時多一份細心,少一份浮躁,不要錯過細節疑問。想要了解更多光刻膠的相關資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?!
