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一、特性
低待機電流 小于 0.1uA)
低導通內阻 MOSFET 功率開關管
— 采用 MOS 工藝設計功率管
— 12 00 毫安通道功率管內阻 0. 3 5 歐姆
— 200 毫安通道功率管內阻 0. 3 1 歐姆
特定條件下 VCC 可以懸空
— 輸入信號高電平電壓大于 2.4V較小的輸入電流
— 集成約 1 5 K 對地下拉電阻
— VCC 正常連接， 3V 驅動信號平均 200 uA 輸入電流
— VCC 懸空， 3V 驅動信號平均 350 uA 輸入電流
內置帶遲滯效應的過熱保護電路 (抗靜電等級： 3 KV (HBM)

二、概述
該產品采用H 橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET ，工作電壓范圍覆蓋 2 V 到 9.6 V 。 27 V DD 6. 5 V 條件下持續輸出 電流達到 1. 5 A ，峰值輸出電流達到 2 .5 A 。
該單路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發熱與負載電流、功率管導通內阻以及環境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時監控芯片內部發熱，當芯片內部 溫度超過設定值時典型值 150 產生功率管關斷信號，關閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重事故。芯片內置的溫度遲滯電路，確保電路恢復到安全溫度后，才允許重新對功率管進行控制。

三、應用范圍
2 6 節 AA/AAA 干電池供電的玩具馬達驅動
2 6 節鎳 氫 鎳 鎘充電電池供電的玩具馬達驅動
1 2 節 鋰電池供電的馬達驅動
電子鎖