

北京賽米萊德貿易有限公司
主營產品: 其他電工電氣輔材
雙層光刻膠-干膜光刻膠品牌-光阻光刻膠品牌-Futurrex
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芯片光刻的流程詳解(一)
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環節——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前,1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后,開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時的日曬,透光部分的瀝青明顯變硬,而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板,Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產品。
Niepce的發明100多年后,即第二次大戰期間才應用于制作印刷電路板,即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管,當時分辨率5um,如今除可見光光刻之外,更出現了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。
PR1-1000A1
NR9-3000PY 負性光刻膠
負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線(365 nm)曝光,可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻
和接觸式光刻等工具。
顯影之后,NR9-3000PY 展現出一種倒梯形側壁,這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢:
- 優異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質期長達3 年
Lift-Off工藝
應用領域:LEDs,OLEDs,displays,MEMS,packaging,biochips。
濕法蝕刻,鍍 干法蝕刻(RIE/Ion Milling/Ion implantation)
附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 負性光刻膠
負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線(365
nm)曝光,可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻
和接觸式光刻等工具。
顯影之后,NR9-3000PY 展現出一種倒梯形側壁,這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。





光刻膠分類
正性光刻膠和負性光刻膠
光刻膠可依據不同的產品標準進行分類。按照化學反應和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負性光刻膠;如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。
在實際運用過程中,由于負性光刻膠在顯影時容易發生變形和膨脹的情況,一般情況下分辨率只能達到 2 微米,因此正性光刻膠的應用更為廣泛。

